三星对外宣布量产第二代10nm级DRAM芯片 - 数码窝


日前三星宣布量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM芯片,它在功耗和性能方面均有明显提升。



此外,该芯片生产率对比前代10nm级8Gb DDR4生产率提高了仅30%,功耗降低15%,性能提高10%,同时拥有更小的封装尺寸,阵脚带宽3600Mbps起步。三星在新闻高中表示,该芯片将用于云计算中心、移动设备和显卡等,并将在明年将现有DRAM芯片生产转为10nm级。


随着工艺技术和电路设计的提升,老产品有望售价下调,毕竟成本会降低。另外值得注意的是,目前英特尔和AMD已经通过了二代10nm级DRAM芯片验证。




前一篇
登陆 or 注册
全部评论()
一家专注数码科技相关资讯、评测相关的新媒体,期待您的加入,协同进步。
服务器托管于阿里云ECS  |  静态文件托管于阿里云OSS
冀ICP备12015057
All content is made available under the CC BY-NC 4.0 for non-commercial use.
Commercial use of this content is prohibited without explicit permission.